Een team onderzoekers van de Washington University in St. Louis heeft een nieuwe manier gevonden om 2D-transistors te bouwen, die slechts één atoom dik zijn. Dit maakt het in theorie mogelijk om enorme aantallen van deze transistors op een chip te plaatsen, wat resulteert in meer rekenkracht in een kleiner volume en met een lager energieverbruik. Sang-Hoon Bae's paper "Non-epitaxial single-crystal 2D material growth by geometric confinement" waarin het proces beschreven wordt is gepubliceerd...
Continue reading...
Continue reading...