TSMC gaat nanosheets gebruiken in zijn 2nm-procedé, dat in de loop van 2025 in productie zal worden genomen. De overstap van fin field-effect-transistors (FinFET) naar deze technologie moet naar eigen zeggen bijdragen om het stroomverbruik van geavanceerde chips verder te kunnen verlagen. Nanosheets zijn een type gate-all-around field-effect-transistors (GAAFET), waarbij zwevende transistorvinnen worden omringd door een gate. Samsung zal de eerste zijn die nanosheets toepast in zijn 3nm-proce...
Continue reading...
Continue reading...