Eerder deze week maakten we melding van de verkoop van GAAFET-patenten van Intel aan Sony. Vandaag kunnen we melding maken van het feit dat Samsung laat weten de eerste fabrikant te zijn die deze gate-all-around-field-effect transistor gaat toepassen in haar 3nm fabricage procedé. Op het op halfgeleiders grichte IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) heeft het bedrijf wat details gedeeld over het 3nm GAE MBCFET (multi-bridge channel FET) fabricageproces. Er zijn twee soor...
Continue reading...
Continue reading...