Samsung werkt aan een 512 GB ddr5 dram-module, zo kondigt de Zuid-Koreaanse fabrikant in een blogpost aan. Naar eigen zeggen is het 's werelds eerste geheugenmodule met zoveel capaciteit, alsmede de eerste in het ddr5-standaard. Door middel van through-silicon via-technologie (tsv) en het high-k metal gate-proces (hkmg) weet Samsung de hoge capaciteit waar te maken. Tsv beschrijft het verticaal op elkaar stapelen van silicon dies of wafers waardoor er een 3D-opbergsysteem ontstaat. Dat maakt...
Continue reading...
Continue reading...