Begin dit jaar ging het nieuws dat Samsung moeite heeft om zijn 3nm-node op basis van de gaafet-technologie, lekstroom werd al belangrijkste reden genoemd. Nu heeft de fabrikant op zijn Foundry Forum aangekondigd dat de eerste helft van 2022 deze 3nm-node op basis van de techniek in productie zal treden. Dat schrijft EE Times, die de conferentie heeft bijgewoond. Gaafet staat voor gate-all-around fet, de gate omringt dus volledig de transistor. Het is moeilijk om de yields hoog genoeg te krij...
Continue reading...
Continue reading...